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工業材料 2019年1月号

定価(税込)  1,420円

【特集】
SiC/GaNなど次世代パワー半導体の現在技術と将来技術

近年、インバーターの高効率化、小型化、高信頼性化、および省エネ化の観点からパワーエレクトロニクスは大きく期待されている。SiC(炭化ケイ素)半導体をはじめ、パワーエレクトロニクスに革命をもたらす次世代型のGaN(窒化ガリウム)、Ga2O3(酸化ガリウム)、ダイヤモンドなどの次世代型先進パワー半導体に大きな注目が集まっている。本特集では、これら先進パワー半導体の最新の研究・開発状況を紹介する。

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目次

2019年1月号
Vol.67 No.1

特集 SiC/GaNなど次世代パワー半導体の
現在技術と将来技術

【パワーデバイス】
SiCパワー半導体の現状と今後の展望
(国研)産業技術総合研究所 田中保宣

GaNパワーデバイスの現状と今後の展望
パナソニック㈱ 上田哲三

酸化ガリウム(Ga2O3)パワーデバイスの開発動向および実用化展望
(国研)情報通信研究機構 東脇正高

ダイヤモンドのパワーエレクトロニクス研究
関西学院大学 鹿田真一

【注目の技術】
先進パワー半導体の特性を活かす実装・回路技術
(国研)産業技術総合研究所 山口 浩

次世代パワーモジュールの耐熱実装技術−焼結接合の可能性と展開
大阪大学 浅谷紀夫、菅沼克昭

SiCエピタキシャルウェハ開発の最近の動向
関西学院大学 大谷 昇

GaNパワーデバイスに向けたエピタキシャル成長技術
名古屋大学 加地 徹

SiCパワー半導体デバイス高信頼性化に向けたウェハ品質検査技術開発
(国研)産業技術総合研究所 先﨑純寿

SiC酸化膜界面への窒素、リン、ホウ素添加による界面特性改善効果
筑波大学 矢野裕司

フルSiC適用による鉄道向けパワエレ機器の小型・省エネ化
三菱電機㈱ 濱田憲治、日野史郎、末川英介

【フォト・リポート】
「SAMPE Japan先端材料技術展2018」開催

【企業・研究所訪問&Interview】
ガスケットの先駆者が保守・保全のための新提案
ニチアス㈱ 鶴見研究所 ガスケットLaboTM
データの大切さを次世代に伝えたい
鶴見研究所長 大村 睦氏

鶴見テクニカルセンター長 糸井克豊氏に聞く

【連載】
材料設計・加工プロセス技術の新たな試み 第37回
回転式昇温器(RINT)の原理と特徴
廣瀬バルブ工業㈱ 村崎一弘、石田祐史

高分子材料の「トラブル&対策」ファイル
ファイル⑨ ゴム・プラスチック成形品の水劣化現象と対策
(一財)化学物質評価研究機構 大武義人

多様な材料開発を支える試験・計測・解析評価技術−神奈川県立産業技術総合研究所 No.12
機械加工技術の支援事例と研究開発
(地独)神奈川県立産業技術総合研究所 横田知宏、横内正洋

成形加工レオロジー・シリーズ[第Ⅲ弾]
ポリ塩化ビニル(PVC)の成形加工性(74)
藤山ポリマーリサーチ 藤山光美

材料ウォッチ
[R&D動向]産学官連携で警察の分析技術向上

[業界動向]パッケージ、セキュリティ用途に期待がかかるインク業界

Q&A 材料相談室
廃プラのコークスとしての利用

【談話室】
ごく最近のできごと
町田輝史

【材料・資源・環境ファイル】
火山と地震との関係
宮入裕夫

●今月のNEWS of ENGINEERING MATERIALS
●本の紹介
●編集後記・次号予告

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